Технология PoX (Phase-change Oxide) - разработанная учёными из Фуданьского университета в Китае, представляет собой энергонезависимую флеш-память, которая способна записывать данные со скоростью 25 миллиардов бит в секунду. 

Это в 10 000 раз быстрее, чем у существующих аналогов.

Вот некоторые особенности PoX:

 1️⃣ Скорость записи составляет 400 пикосекунд (0,4 наносекунды) на бит.
 2️⃣ Технология почти не потребляет энергию и может работать без охлаждения.
 3️⃣ Данные сохраняются даже без постоянного питания.
 4️⃣ PoX особенно перспективна для устройств с ограниченным энергопакетом, таких как смартфоны и периферийные устройства искусственного интеллекта.

   Ключевое отличие PoX от традиционной флэш-памяти заключается в переходе от кремниевых каналов к двумерному дираковскому графену.

   Ожидается, что коммерческие образцы PoX появятся к концу 2026 года.