Технология PoX (Phase-change Oxide) - разработанная учёными из Фуданьского университета в Китае, представляет собой энергонезависимую флеш-память, которая способна записывать данные со скоростью 25 миллиардов бит в секунду. 

Это в 10 000 раз быстрее, чем у существующих аналогов.

... Читать дальше »